Глебов А.С.

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и микроэлектронике и может быть использовано при производстве интегральных схем. Цель изобретения - повышение выхода годных интегральных схем за счет исключения дополнительного роста 1 пленок AITI и AITISI, а также увеличения стойкости к электромиграции и шипообразованию. Указанная цель достигается тем, что в интегральных схемах металлиза...

 Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных схем (ИС). Предложенный способ изготовления резисторов в интегральных схемах включает формирование на поверхности пластины кремния слоя диэлектрика, осаждение слоя аморфного кремния, формирование в нем резисторов. Перед формированием в слое аморфного кремния резисторов его отжигают при темпер...