PatentDB.ru — поиск по патентным документам

АХМАНАЕВ ВИКТОР БОРИСОВИЧ

Изобретатель АХМАНАЕВ ВИКТОР БОРИСОВИЧ является автором следующих патентов:

Камера для измерения параметров полупроводниковых пластин

Камера для измерения параметров полупроводниковых пластин

  Союз Советскик Социалистических Республик (и1779937 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08. 06. 78 (21) 2629096/18-09 с присоединением заявки Мо (51>М. Кл. G 01 R 31/26 Государственный комитет СССР ко делам изобретений и отнрыти A (23) Приоритет Опубликовано 151180,Бюллетень М 42 Дата опубликования описания 15, 11. 80 (53) УДК 621. 3...

779937

Датчик параметров полупроводниковых материалов

Датчик параметров полупроводниковых материалов

  Союз Советсинк Социалистические Реснубннк ОП ИСАНИЕ 896524 ИЗОБРЕТЕН ИЯ (б1) Донолнительное к авт. свнд-ву(22)Заявлено 19.12.79 (2}) 2855057/18-09 с присоединениеее заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 07.01.82 ° Бюллетень № 1 Дата онубликования ояисания 10. 01. 82 (Я}М. Кд. G 01 и 22/00 3Ьаудерстеенеый.кемятет СССР ао делам иза6ретеннк н вткрьпяй (53) УДК 621. . 317(088....

896524

Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов

Датчик электрофизических параметров полупроводниковых материалов

  ОП ИС АНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик ри949540 (22) Заявлено 16.10.78(21) 2676934/18-09 (61) Дополнительное к авт. сеид-ву— (511М.Кл з с присоединением заявки М— G R 27/26 Государственный комитет СССР ио делам изобретений и открытий (23) Приоритет Опубликовано 070882. Бюллетень Мо 29 (53) УДК621. 317 (088. 8) Дата о...

949540

Датчик электрофизических параметров полупроводников

Датчик электрофизических параметров полупроводников

  ДАТЧИК ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, содержа щий СВЧ-резонатор квазистатического типа с первым и вторым элементами связи и измерительным отверстием св зи в торцовой стенке, в котором размещен индуктивный штырь, закрепленный на металлической диафрагме, образующей противоположную то; цовую стенку резонатора, о т л и Чающийся тем, что, с целью повышения точности изме...

1045310

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике

  Изобретение обеспечивает повышение точности и производительности измерений . Исследуемый полупроводник (ИИ) 10 прикладывается к наружной поверхности торцевой стенки квазистатического резонатора (КСР) 2 над кольцевым измерительным отверстием. Отверстие обеспечивает связь ИП 10 с КСР 2. Излучение транзисторного СВЧ- генератора 1 пр оходит через КСР 2 на детектор 3. На нагрузке 11 д...

1227999