Зуева Г.Я.

 Изобретение относится к способам получения высокочистого трихлорсилана, применяемого в качестве источника кремния в технологиях микроэлектроники. Сущность изобретения: трихлорсилан получают взаимодействием тетрахлорида кремния с техническим кремнием и хлористым водородом при 380 - 450°С и разделением смеси хлорсиланов на диффузионных мембранах. Получают трихлорсилан с содержанием SiCl4610...

 Предлагаемое изобретение относится к технологии разделения изотопов при крупномасштабном производстве кремния полупроводниковой чистоты. Технический результат: снижение затрат сырья при организации замкнутого химического цикла в крупномасштабном производстве. Сущность изобретения: осуществляют химический обмен между простыми кремнийсодержащими соединениями - газофазным веществом SiH4 и жи...