БЫЧКОВ С.С.

  11ДП-ТРАНЗИСТОР с вертикальным каналом, в котором электроды затвора размещены на покрытых слоем диэлектрика стенках V-обраэных канавок и на диэлектрике над областями истока в промежутках между V-образными канавками, а электроды истока расположены на поверхности областей истока , выходящих за пределы. V-образных канавок, о.тличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и энерге...