КОТЕЛЯНСКИЙ И.М.
Изобретатель КОТЕЛЯНСКИЙ И.М. является автором следующих патентов:

Носитель для тепловой записи негативного изображения и способ записи негативного изображения на указанный носитель
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социалистических Республик (6t ) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено 2908.78 (23) 2659504/18-10 (51)pA К, 3 G 03 С 5/00 G 03 С 1/00 03 G 5/00 с присоединением заявки Ио 2659 2 78/18-10 Государетаеииый комитет СССР ио яеаам изобретеиий и открытий (23) Приоритет 31. 08. 78 Опубликовано 070281, Бюллетень Мо 33 (53) УД (772. 93 (088.8)...
784556
Звукопровод ультразвуковой линии задержки
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СО ЦИАЛ И СТИЧ ЕСКИХ РЕСПУБЛИК (st)5 Н 01 1, 41/18, Н 03 Н 9/30 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬС ВУ ГОСУДАРСТВЕН НОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3216445/23 (22) 12. 12. 80 (46) 15.01.93. Вюл. М 2 (71) Институт радиотехники и электроники AH СССР (72) С.Ф.Ахметов, Ю.В.Гуляев,. А.Г.Давыдченко, С.Н.Иванов, И.M.Koòåëÿíñкий, В.В.Медвед...
944468
Линия задержки на объемных акустических волнах
ЛИНИЯ ЗАДЕРЖИ НА ОБЪЕМНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ, содержащая звукопровод и пьезоэлектрические преобразователи , расположенные на его поверхности , отличающаяся тем, что, с целью увеличения подавления многопролетного сигнала, поверхность по меньшей мере одного торца звукопровода, расположенного на пути распространения акустической волны, выполнена шероховатой со средней высотой h нер...
959601
Акустическая линия задержки
(IglSU(lll (51)5 Н 03 Н 9 30 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЦП1Й Ъ ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Ц CBTOPCHOMV CIIIICETE(IBCTBI imam ah= (46) 15.01.93. Бюл Р 2 (21) 3645427/23 (22) 23,09 ° 83 (72) IO.В. Гуляев, A.Ã. Веселов, В.И, Елмапов, С.II. Иванов, If,ff. Котелянский, A,Â, Владимиров и В.Я. Курилов (56) Ультразвук.-Маленькая энциклопедия./Под ред. И,И. Г...
1217225
Способ нанесения пьезоэлектрических пленок окиси
Изобретение может быть использовано для изготовления преобразователей сдвиговых объемных акустических волн. Цель изобретения - повышение качества пленок за счет получения наклонной ориентации оси их текстуры в диапазоне 40±10° и увеличения однородности этой текстуры по поверхности подложки. Для получения пленки окиси цинка в магнетронном разряде распыляют цинковую дискову...
1394742
Способ получения монокристаллических пленок полупроводниковых материалов
СООЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК . „„SU„„1484191 А1 (5l)5 Н 01 1. 21/203 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ Н А BTGPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ но, н частности, для изготовления сверхрешеток. Цель изобретения — повышение однородности пленки по стекиометрнческому составу, по толшин», ио в1опп1дп ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (46) 15. 12. 92 Бюл. Р 1...
1484191
Способ химико-механического полирования поверхностей пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при химико-механическом полировании пластин из полупроводниковых и диэлектричес ких материалов, таких,Как арсенид галлия, индия , ниобат лития. Цель изрбрете- -ния - повьшение качества обрабатываемой поверхности и производительности полирования. Способ химико-механического полирования |говерхностей пласти...
1499622
Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах
Изобретение относится к радиоэлектронике . Целью изобретения является повышение процента выхода годных . Способ изготовления элементов устройств, работающих на акустических волнах включает формирование с помощью маскирующего слоя фоторезиста на рабочей поверхности звукопровода 2 группы полосок первого металлического слоя 3 методом обратной фотолитографии , формирования поверх нее...
1535332
Способ получения пленок сверхпроводящих оксидных материалов
Изобретение относится к получению материалов , обладающих сверхпроводимостью . Цель изобретения - повышение воспроизводимости и однородности параметров пленок. Это достигается тем, что на подогретую подложку осаждают компоненты сверхпроводящей пленки совместно с потоком атомов и ионов кислорода с энергией 50-150 эВ, при этом плотность потока И, частиц кислорода соотносится с плот...
1575856
Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников
Изобретение относится к сверхпроводимости Цель изобретения - повышение величины критического тока за счет создания текстурированных пленок. (001) с осью текстуры ортогонально плоскости подложки Поставленная цель достигается тем, что после вакуумного напыления пленки состава (TR) Ва2Си3Ог х,где TR У, Ей, Ег, на подложку проводят нагревание пленки до температуры отжига. Отжиг прово...
1651704