PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПРИХОДЬКО В.Г.

Изобретатель ПРИХОДЬКО В.Г. является автором следующих патентов:

Способ определения параметров пограничных состояний на границе раздела твердых тел

Способ определения параметров пограничных состояний на границе раздела твердых тел

  Союа Советских Сещиаиистинесиих Ресеубяик ИЗОБРЕТЕНИЯ lii> 784643 К АВТОРСКОМУ СВИ ЖИТЕЛЬСТВУ (е1} Дополнительное к ввт. сеид-ву (51)м. кл.з (22) Заявлено 0506.79 (21) 2800071/18-25 с присоединением заявки М (23) Приоритет Н 01 L 21/66 Госуяврственямй комитет СССР яо яелви «зобретевмя и открытой Опубликбвано 070981. Бюллетень Й9 33 (53) V+K б 21 . 382 (088. 8) .Дата опубликова...

784643

Способ разделения газовых смесей и изотопов и устройство для его осуществления

Способ разделения газовых смесей и изотопов и устройство для его осуществления

  Ю. С. Куснер, С. С. Кутателадэе, В. Г. Прухс}дько, А, К. Ребров, С. Ф. Чекмарев и Г. Ф. Николаев / Институт теплофизики Сибирского отделения АН -СССР - . - "- / (72) Авторы изобретения (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ГАЗОВЫХ СМЕСЕЙ И ИЗОТОПОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Изобретение относится к области разделения газовых смесей и изотопов и может быть использова...

869109

Состав для тушения пожаров

Состав для тушения пожаров

  СОСТАВ ЛЛЯ ТУШЕНИЯ ПОЖАРОВ, включающий поверхностно-активное вещество , сернокислую соль и воду, отличающийся тем, что, с целью исключения быстрого повторного возгорания при тушении фосфора, в качестве соли он содержит медный купорос при следующем соотношении компонентов, мае,;: Поверхностно-активное вещество },8-k,6 Медный купорос ,7-19,1 ВодаОстальное „„SU„„1085043 А 1 (g1)...

1085043

Способ определения квантомеханического фактора вырождения глубоких центров в полупроводнике

Способ определения квантомеханического фактора вырождения глубоких центров в полупроводнике

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КВАНТОМЕХАНИЧЕСКОГО ФАКТОРА ВЫРОЭДЕНИЯ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ, преимущественно содержащем мелкую легирующую примесь, основанный на измерении вольтфарадных характеристик , отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширегшя класса исследуемых материалов , на поверхности полупроводника формируют слой туннельно непрозрачного диэлектрика с пас...

1098466