БУРАЧАС С.Ф.

  1. Способ выращивания монокристаллов оксидов, включающий затравливание кристалла на ориентированную затравку , ее разращивание до заданного диаметра при автоматическом регулировании мощности нагревателя в зависимости от изменения регулируемого параметра и последующее вытягивание кристалла в камеру охлаждения, о т личающ .ийся тем, что, с целью исключения колебаний температуры в п...

  Изобретение относится к способу получения монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина и позволяет сократить длительность процесса и уменьшить загрязнение расплава и кристаллов и коррозию тигля. Исходные оксиды германия и висмута прокаливают при 965 ± 15°С и 440 ± 10°С соответственно в течение 5-6 ч. .после чего смешивают в тигле и нагревают со скорость...

  Изобретение относится к термообрабс |Тке сцинтилляционных кристаллов , которые могут быть использованы лл гаммарегистрации и спектрометрии квантов. Цель изобретения улучшение сцинтилляционных параметров кристаллов германата висмута и увеличение выхода годных. Способ включает нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/ч до 950-1030 с, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2,...

  Изобретение относится к способу выращивания монокристаллов германэта висмута и позволяет улучшить КЛЧРСТ- во кристаллов и повысить выход годных . Кристалл выращивают из расплава на затравку. После выращивания верхнего конуса и цилиндрической части кристалла скорость вращения плавно снижают до нуля в течение 5-10 с и продолжают вытягивание при уменьшении температуры расплава от 10...