ДУБОВИК М.Ф.

  1. Способ выращивания монокристаллов оксидов, включающий затравливание кристалла на ориентированную затравку , ее разращивание до заданного диаметра при автоматическом регулировании мощности нагревателя в зависимости от изменения регулируемого параметра и последующее вытягивание кристалла в камеру охлаждения, о т личающ .ийся тем, что, с целью исключения колебаний температуры в п...

  1. Способ выращивания монокристаллой сложных оксидов из расплава, включающий затравливание монокристалла на ориентированную затравку, ее разрапщвание до заданного диаметра при регулировании мощности нагревателя, вытягивание монокристалла с последуюпрш перемещением его в камеру охлаждения в условиях постоянного осевого градиента температуры , равного 15-50 град/см и охлаждение до...

  Изобретение относится к производству монокристаллов лантан-галлиевого силиката (лангасита), может найти применение для изготовления пьезоэлектрических резонаторов и монолитных фильтров системы радиосвязи и других устройств на объемных и поверхностных акустических волнах и обеспечивает улучшение пьезоэлектрических параметров, уменьшение индуктивности, а также повышение термостабил...

  Изобретение относится к технологии сверхпроводящих керамических материалов , в частности пленок, обладающих высокотемпературной сверхпроводимостью, и может быть использовано в криоэлектронике для получения сверхпроводящих устройств . Целью изобретения является увеличение критической температуры сверхпроводящего перехода. Для этого приготавливают водно-спиртовую суспензию из порош...