ПЕРОВ П.И.
Изобретатель ПЕРОВ П.И. является автором следующих патентов:
Способ определения величины заряда на границе раздела в пленочных структурах
О П 1 786728 Союз Йоветскйх Социалистических Республик ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Доиолиитсл?иию к авт. свид-ву— (22) 3 а явлсl?o 20.04.79 (21) 2755605 18-25 (5!) Л1. Кл." Н 01 I. 21, 66 с ?11? I (co c; I? I kloñk kilo 3? 3 а и в1. и & Государственный комитат СССР по делам изобретений и открытий (23) I1ðèoðèToT— l o3) У.(К 621.382 (088.8) Опублико?111??о...
786728Оптикоэлектронное устройство для вычисления двоичных логических функций многих переменных
ОПТИКОЭЛЕ1<!ТРОННОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫЧИСЛЕНИЯ ДВОИЧНЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ МНОГИХ ЛЕ:РЕМЕННЫХ, содержащее лазер,линейку фотоприемникрв,п выходов которой соединены с соответствующими управляющими входами дифракционного двоичного дефлектора, .оптический вход которого связан с выходом лазера, а вьпсод - через оптическую систему с входом 2^-строчного накопительного транспаранта...
805815Устройство для измерения параметров поверхностных состояний на границе раздела в полупроводниковых гетеропереходах
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ, содержшдее источник питания, измеритель стекающего заряда, первый электронный 1 S-i ключ для подсоединения исследуемой структуры к источнику питания, второй электронный ключ для подсоединения исследуемой структуры к измерителю стекающего заряда, регистрирующий прибо...
1025291Способ определения емкости материала с большей шириной запрещенной зоны в гетеропереходах и мдп-структурах
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля параметров полупроводниковых структур при их изготовлении, а также в процессе изготовления нолупроводниковых приборов на их основе. Целью изобретения является расширение функциональных возможностш и повышение точности измерения емкости. Согласно изобретению исследуемый образец освещают модули...
1389606Способ определения емкости области пространственного заряда в полупроводнике и диэлектрика полупроводниковых структур
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения емкости области пространственного заряда и диэлектрика в полупроводниковых структурах. Целью изобретения является повышение точности и обеспечение определения емкости области пространственного заряда в гетеропереходах . Образец, содержащий гетеропереход , освещают светом, поглощаемым в мат...
1402201