РОВЕНСКИЙ ДАНИИЛ ЯКОВЛЕВИЧ
Изобретатель РОВЕНСКИЙ ДАНИИЛ ЯКОВЛЕВИЧ является автором следующих патентов:
![Устройство для регулирования действующего значения тока Устройство для регулирования действующего значения тока](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2e7ba33fa68ead3b598d84f8e635cfd2.jpg)
Устройство для регулирования действующего значения тока
5 йатеи,сс;-тв. лв %скай Фб, метек@ МЬА ии ИЗОВ Итв gg Союз Советскик Социалистических Республик. < 1792226 Ф 1 ,/ -" К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. санд-ву (22) Заявлено 18.04.78 (2l) 2606355/2 07 с прнсоединениеи заявки М (51)М. Кл. 6 05 Р 3./44 Q03. 4 19/02 Гооударотеенлый комитет СССР (23) Приоритет ио делам изобретений н открытий Опубликовано...
792226![Устройство для регулирования мощности переменного тока Устройство для регулирования мощности переменного тока](https://img.patentdb.ru/i/200x200/5a8ae67143b74168d4779bfa02cad6e1.jpg)
Устройство для регулирования мощности переменного тока
УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕГУЛИРОВАНИЯ МОЩНОСТИ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА, содержащее последовательно соединенные -датчик мгновенного значения тока, разделительный трансформатор, выпрямитель , формирователь среднего Г значения Сигнала, сумматор, блок формирования закона регулирования, блок управления тиристорами и блок тиристоров и, кроме того, п последовательно соединенных делителей напряжения , с...
1108419![Способ осаждения полупроводникового кремния Способ осаждения полупроводникового кремния](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4b64d8c135ef06f8b81d546cf57fb14e.jpg)
Способ осаждения полупроводникового кремния
Назначение: к области получения особо чистого поликристаллического кремния, используемого в качестве исходного материала в полупроводниковой технике путем термического разложения смеси трихлорсилана с водородом на кремниевых подложках , установленных вертикально в реакторе, при пропускании через них электрического тока с образованием смеси ди-, три-и тетрахлорсилана в качестве по...
1782936