PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Кунашкевич М.В.

Изобретатель Кунашкевич М.В. является автором следующих патентов:

Способ создания омических контактов к кремнию

Способ создания омических контактов к кремнию

 Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, за...

795321