МИРГОРОДСКИЙ В.И.
Изобретатель МИРГОРОДСКИЙ В.И. является автором следующих патентов:
Акустооптическое устройство для управления оптическим излучением
АКУСТООПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ, содержащее акустооптическую среду, пьезоэлектрический преобразователь для возбуждения упругих волн, выполненный в виде пластинки или пленки из пьезоэлектрического материала с расположенными на противоположных сторонах ее двумя электродами, один из которых находится в акустическом контакте с акустооптическойсредой, а...
797378Акустооптическое устройство для сдвига частоты оптического излучения
АКУСТООПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ СДВИГА ЧАСТОТЫ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ , содержащее акустооптическую ячейку, перестраиваемой генератор высокочастотных колебаний, электрически .связанный с названной ячейкой, и поляроид, расположенный на оптическом выходе акустооптической ячейки , отличающееся тем, что, с цел1 ю устранения пространственного и углового излучения на выходе устройства п...
890854Способ отклонения оптического излучения
СПОСОБ ОТКЛОНЕНИЯ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, в котором направляют когерентное оптимеское излучение на расположенные в одной плоскости оптические входы п акустооптических ячеек, возбуждают в этих ячейках акустические волны на частоте, обес- .печмвающей заданный угол отклонения дифрагированного оптического излучения на выходе ячеек, и изменяют частоты акустических волн, возбуждаемых в...
961468Коммутатор волоконно-оптических каналов
Изобретение отмоЬитСя к волоонной оптике и может быть использовано в оптоэлектронных устр-вах обработки информации. Цель изобрете- . .«йя - увеличение коммутационной способнести уст-ва путем уменьшения дно симых потерь и обеспечения повышенной плотности размещения каналов. В ко1«| утаторе между входными 3 и выходными 5 акустооптическими дефлектррдми на фокусном расстоянии от них...
1362297Способ определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушаюпего контроля состояния поверхности образцов, а именно для определения дозы имплантированных ионов на поверхности полупроводника . Целью изобретения является повьппеиие точности измерений. Исслёдуемьй участок полупроводника облучают модулированным оптическим излучением с энергией квантов мен...
1602291