СИНИЦА С.П.

  ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий полупроводниковую подложку р -типа проводимости и размещенный на подложке слой полупроводника П -типа проводимости, в лсотором размещена запоминающая среда с рас- i положенными в ней ft *-областями стока и истока,'о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения надежное* ти элемента, запоминающая среда выполнена в виде области полупро...