Берлин Е.В.

  Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при литографических операциях Цель изобретения - повышение тиражеетойкости фотошаблона На стеклянную подложку наносят слой полиимида, а затем слой As Se толщиной 100 - 300 нм состава X 1-X 0.2 х 0.5 и слой Ag толщиной 15 - 20 нм. Полученные структуры локально экспонируют, например, электронным лучом с. эне...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении фотошаблонов Цель изобретения - увеличение тиражеаойкости фотошаблона На аеклянную подложку наносят слой органического материала - полиглицидилметакрилата с этилакрилатом толщиной от 1 до 4 мкм и облучают его ультрафиолетовым облучением в вакууме не ниже 1,3 Па Затем о...

 Использование: в устройствах для генерации плазмы высокой плотности с помощью полей ВЧ диапазона, в частности в плазменных устройствах для травления и нанесения покрытий на подложках размером 150мм и более. Сущность изобретения: источник ионов высокой плотности содержит рабочую камеру, выполненную преимущественно из металла, средства для управления давлением газа в рабочей камере, генерат...