Марончук Э.Е.

 Способ обработки эпитаксиальных структур, включающий отжиг при температуре ниже температуры их получения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрофизических параметров и уменьшения явлений деградации в приборах на их основе, отжиг проводят в градиенте температуры 30 - 100oC/см, направленном от эпитаксиального слоя к подложке, при средней температуре 300 - 600oC.