Бубенников А.Н.

 Изобретение относится к области тестирования и измерения параметров полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе тестирования токов утечек транзистора на первой стадии пропускают эмиттерный ток через прямосмещенный эмиттерно-базовый p-n переход при закороченных коллекторе и базе. На второй стадии пропускают коллекторный ток через прямосмещенный коллекторно-базовый переход п...

 Данное изобретение относится к устройствам импульсной и цифровой техники, в частности к интегральным логическим элементам БИС, ЭВМ. Техническим результатом является создание микромощных малокомпонентных логических элементов И, ИЛИ, формирователя-повторителя, обеспечивающих низковольтный логический перепад в субполувольтовом диапазоне вплоть до 0.2 В при высочайшей нагрузочной способности...

 Использование: в устройствах и структурах интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектронике, в частности в интегральных нейроподобных структурах нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей структуры, уменьшение межэлементных линий связи при высокой плотности трехмерной упаковки, малых мощностях потре...

 Изобретение относится к устройствам и интегральным конструкциям импульсной и цифровой техники, в частности к интегральным логическим элементам БИС, ЭВМ и автоматики. Создан логический элемент НЕ, ИЛИ-НЕ на комплементарных структурах, обеспечивающий низковольтное напряжение питания и логический перепад в субполувольтовом диапазоне вплоть до 0,12-0,2 В, высокое технологическое и системное б...

 Использование: при конструировании устройств и структур интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектроники, в частности интегральных нейроподобных структур нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Сущность изобретения: предлагается планарная совмещенная нейроструктура для УБИС КНИ, содержащая в основании центральную сильнолегированную p+-область, поверх которой расположен p-слой с...

 Изобретение относится к устройствам и структурам интегральной микроэлектроники, в частности к интегральным ячейкам статической памяти и оперативным запоминающим устройствам БИС и ЭВМ. Техническим результатом является микромощный режим потребления статических мощностей (единицы-десятки нановатт), приемлемая помехоустойчивость работы, высокие рабочие частоты. Изобретение содержит бистабильн...