ЗАРГАРЬЯНЦ М.Н.

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОЙ ЭПЙТАКСЙИ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР, включающее ifcopnyc прямоугольной формы с крыппсой, контейнер с емкостями для растворов-расплавов,- снабженными поршнями с.толкателем, установленнуюпод ним пластину с отверстием для заливки раствора-расплава на подложки и емкость для отработанных растворов—расплавов, отличающееся тем, что, с целью повьшения однородности ра...

  1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ИЗЛУЧАЮЩЕГО р-п ПЕРЕХОДА , содержащее источник питания, соединенный с измеряемым р-п переходом, оптический блок, щелевую диафрагму и фотоприемник, соединенный со вхоМ О дом блока измерений, отличающееся тем, что, с целью ускорения процесса, измерения и расширения функциональных возможностей, оно снабжено дополнительным фотоприемником, сое...

  СПОСОБ УСИЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СИГНАЛА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ ЛРИБОРЕ с областью лавинного умножения носителей тока толщиной W, КЧЖ)-,(-4Л) V + 4V. 4-w-()) . -aW , -bW2 где в/ Ае -р-, , рили b4-y-f((f ( ,- 4-(Г|-4-, соответственно, где А,В,а,Ь - константы для данного полупроводникового материала; еН еН п -п-Г - mgC п « время релаксации импульсаносителя; включающей приложение к прибо...

  СУПЕРЛКМИНЕСЦЕНТНЫЙ ДИОД, включающий полупроводниковую структу: ру с полйсковой активной областью, ; расположенной, под углом к граням структуры, отличающийся тем, что, с целью стабилизации длины волны излучения и увеличения линейности ватт-амперной характеристики в области температур 300-470° К, активная область выполнена с периодически маняющейся шириной, причем период...

  I. ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР на основе полупроводниковой стрз ктуры с отражающими торцами и металличес кими контактами, включаюпрй две пассивные области, между которыми заключена активная область, образу щая с одной из них р-п-переход, отличающийся тем, что, с целью повышения выходной мощности в одномодовом режиме и диаграммы направленности, в объеме одной КЗ пассивных и активной област...

  Изобретение относится к устройствам со стимулированным излучением, конкретно к интегрально-оптическим устройствам и полупроводниковым инжекционным лазерам. Цель изобретения сужение диаграммы направленности с максимумом, расположенным на оптической оси лазера, В полупроводниковую гетероструктуру введены пассивный волноводньш и дополнительный буферньш слои. Второй буферньй слой, ко...

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур и может использоваться при изготовлении сверхчистых снальных слоев для полупроводниковых приборов широкого применения, в частности , для приборов интегральной оптоэлектроники и микроэлектроники. Целью изобретения является очистка многокомпонентного полупроводникового слоя. Цель достигается тем, чтб н...