Левшунова В.Л.

 Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом заявляемого способа является повышение структурного совершенства кремниевых подложек за счет увеличения эффективности геттерирования и...