Попова М.К.

 Фоточувствительная матрица приборов с переносом заряда, включающая полупроводниковую подложку дырочного типа проводимости, легированную индием, эпитаксиальный слой электронного типа, диэлектрический слой SiO2 и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающаяся тем, что, с целью разделения функций считывания и накопления, эпитаксиальный слой на г...