ДУБИНИН В.П.
Изобретатель ДУБИНИН В.П. является автором следующих патентов:
Полупроводниковая интегральная схема
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводнировую подложку первого типа про_водимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным;слоем того же,что и подложка, типа проводимости и совмещенные с ^локальными областями того жетипа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя,, образуя...
820546