МАЛЮТЕНКО В.К.

  Союз Советских Социалистических Республик 5 метра механически связано с пьезоэлементом. Расположение интерферометра с регулируемой по спектру максимальной отражательной способностью внутри резонатора, под углом к оптической оси лазера обеспе20 чивает в исходном состоянии. низкую добротность лазерного резонатора и .предот-. вращает генерацию лазерного излучения. При подаче эле...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА БИПОЛЯРНОЙ ДИФФУЗИИ НЕРАВНОВЕСШЛХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ , основанный на освещении пластины из полупроводникового материала зондирующим инфракрасным излучением, а также импульсами света , вызывающего генерацию электронно-лырочных пар, измерении интен :я1вности зондирукяцего инфракрасного излучения, прошедшего через пластину , и вычислен...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК Л() 1250107 А1 др 4 Н 01 L 21/66 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3831760/24-25 (22) 25,12 ° 84 (46) 30,11,87, Бюл, N - 44 (71) Институт полупроводников АН УССР (72) В.К.Малютенко, А,Н.Зюганов., II.Ñ.Ñìåðòåíêî и С.А,Витусевич (53) 621 ° 382(088.8)...

  Изобретение относится к метрологии электрофизических параметров полупроводников и предназначено для экспрессной отбраковки полупроводниковых заготовокj используемых при изготовлении полупроводниковых приборов. Цель изобретения - увеличение . экспрессности при сохранении высокой точности контроля при определении .однородности по составу полупроводникового соединения, а также при о...

  СОЮЗ СЬ8ЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК А1 ((9)SU(((( (51)5 Н 0 21 66 (ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ HGMHTET СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTIM (46) 23.08,90. Бюл. Р 31 (21) 3874095/31-25 ,(22) 23.01.85 (71) Институт полупроводников АН УССР (72) В.K.Ìàëþòåíêo и Г.И.Тесленко .(53) 621.382(088.8) (56) Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измер...