Бычков С.И.

 Изобретение относится к технологии получения моносилана, который может быть использован при получении особо чистого полупроводникового кремния. Сущность изобретения заключается во взаимодействии тетрахлорида кремния с гидридом лития, поверхность которого подвергают активации вибрирующим транспортером, при этом газовый поток тетрахлорида кремния подают в противоток движению транспортера с...