Крыжановский А.Н.
Изобретатель Крыжановский А.Н. является автором следующих патентов:
![Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия](/img/empty.gif)
Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия
Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в каче...
830961