Малюков С.П.

 1. Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления, включающий выращивание маскирующего слоя двуокиси кремния на пластине кремния, его травление, формирование тензорезисторов и присоединение выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса изготовления и улучшения качества полупроводниковых датчиков, после формирования тензорезисторов на обратной стороне пластины кремния...

 Стекло для стеклокристаллического материала, включающее SiO2, Al2O3, Li2O, ZnO, K2O, P2O5, F, Cs2O, ZrO2, отличающееся тем, что, с целью снижения температуры оплавления и угла смачивания, а также повышения качества покрытий на коваре и кремнии, оно дополнительно содержит Yb2O3, Nd2O3, Gd2O3 при следующем соотношении компонентов, вес.%: SiO2 - 55 - 65 Al2O3 - 10 - 15 Li2O - 10 - 15 ZnO - 1...

 Магниторезистивная головка, содержащая твердую диэлектрическую подложку, слой немагнитного проводникового материала, слой магнитного материала с отверстием, образующим магнитопровод с рабочим зазором воспроизведения, и магниторезистор, помещенный в это отверстие, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности магниторезистивной головки за счет ее конструктивного объединения с г...

 Тонкопленочная магниторезистивная головка, содержащая верхний и нижний экранирующие слои с расположенными между ними, выполненными в форме зигзага первым и вторым магниторезистивными элементами, причем стороны зигзага первых магниторезистивных элементов наклонены под углом , выбранным из диапазона 30 - 60o к оси легкого намагничивания, а стороны зигзага вторых - под углом, дополнительным...