Шахмаева А.Р.

 Использование: в технологии получения полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на поверхности подложки формируют легированный бором и фосфором слой двуокиси кремния при 50-200°С, осаждением из газовой фазы за счет реакций между тетрахлоридом кремния, трихлорида бора, трихлорида фосфора с кислородом и окисью азота. Техническим результатом изобретения является снижение температуры...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с кристаллодержателем и стабильности процесса присоединения. Сущность способа: на обратную сторону кремниевой пластины наносят последовательно в едином технологическом цикле че...

 Использование: в технологии получения полупроводниковых приборов, в частности в способах получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Та2О5). Техническим результатом изобретения является получение пленки окиси тантала при низких температурах. Сущность изобретения: на поверхности подложки формируют тонкопленочный диэлектрик окиси тантала...