Русак Т.Ф.

 (19)RU(11)1222147(13)C(51)  МПК 5    H01L21/66Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ГЛУБИНЫ НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано для определения глубины трещиноватого слоя на монокристаллах полупроводниковых...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии. Перед отжиго...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых пластин. Целью изобретения является расширение технологических возможностей способа в части выявления микродефектов типа кластеров точечных дефектов, преципитатов, дислокационных петель в приповерхностных слоях кремниевых пластин глубиной до 10 мкм и эпитаксиальных структур с ориент...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин. Цель достигается тем, что проводят сначала отжиг в окислительной атмосфере при 1100 - 1200°С, а затем - отжиг в окислительной среде при 430 - 450°С и двухступенчатый отжиг в инертной среде при 700 - 750°С в течение 4 - 6 ч и 1000 - 1050°С. Причем продолжительность отжигов...

 Изобретение относится к полупроводниковой технологии. Цель изобретения - расширение типов вычисляемых микродефектов в тонких поверхностных слоях. Обработку поверхности полупроводника ведут в травителе следующего состава, мас. %: CrO3 15 - 52; HF (45%) 4 - 25; HNO3 (72%) 8 - 50; H2O 10 - 36. Время травления 5 - 15 мин. При этом количество CrO3 выбирают в зависимости от толщины обрабатываем...

  Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления эпитаксиальных структур и полупроводниковых приборов. Цель изобретения - улучшение качества эпитаксиальных структур за счет повышения однородности распределения легирующей примеси в эпитаксиальном слое и уменьшения в нем плотности дефектов кристаллической решетки. Из слитка монокристаллического кремн...

 Использование: в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе формирования тонких монокристаллических слоев на изоляторе или другом полупроводниковом материале сначала проводят термокомпрессионное соединение рабочей пластины с пластиной-носителем, при этом соотношение площадей рабочей пластины и пластины-носителя не более 0,85, затем формируют на пов...

 Использование: в полупроводниковой технике. Сущность изобретения: способ получения КНИ-структур с тонким слоем кремния, лежащим на диэлектрике, включает механическую обработку и химико-механическую полировку пластин кремния, формирование по крайней мере на одной пластине слоя диэлектрика, отмывку с формированием гидрофильных поверхностей, введение соединяемых поверхностей пластин в контак...