ЛЮБЧЕНКО В.Е.

  СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ГЕНЕРАТОР, содержащий подложку из диэлектрического материала с нанесенной на ней пленкой из полупроводникового материала с 'динамической отрицательной проводимостью, на которой расположены металлические проводники, отличающийся тем, что, с целью повьпиения коэффициента полезного действия и устойчивости режимаработы, упомянутая подложка из диэлектрического мате...

  1. ГЕНЕРАТОР СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТ, содержащий полупроводниковый диод, размещенньй внутри образованного первым и вторым зеркалами отйрыто го резонатора, о тличающий-. с я тем, что, с целью .упрощения настройки и расширения диапазона рабочих частот, первое зеркало выполнено в виде двух сооснр расположенных проводников цилиндрической формы, присоединенных к торцам цилиндрического диэ...

  Изобретение относится к методам импульсной лазерной обработки полупроволняковых структур и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов для беэпакуумного локального изготовления контактов. Целью изобретения является уменьшение удельного сопротивления контактов, что обеспечивается облучением сформированной конфигурации электродов с помощью сканирующ...