МАТВЕЕВ Б.А.

  > .> (>0>>., >1ЕСт>>О» . . у )," ;, > . К (! I i I » > » < о в (К )):: 0>,3 и ) H. ФедоРова Т, ",)о(,о:, i;5:, II еl»»)! 0()Ь.(, . < I IO :.: Ill! I I . > . ) Ги:и,:!.0-.2 (:.р::: г:.:>f! " ), « ) >< : >,,/1, 3> ), I .... " > i >ici,, " I,) :)000;>i кii".: ).:), !: ii>! . ): и:).; . ); > „О . ", .»0.>и.>.а)> ). >1>11(! i I ИО. ):Ii CЫ, I. !i! L . «ÊÎÑTi> .7 — (1.10(КО«1: «...

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР С р-п-ПЕРЕХОДОМ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДIII В , включающий эпиНИКОВ ТИПА А таксиальное наращивание слоев In Ga,xAs из легированного акцепторной примесью раствора-расплава, о тличающийся тем, что с целью улучщения фотоэлектрических свойств структур, в качестве легирующей акцепторной примеси используют марганец в концентрации 0,000160 ,0033 ат.долей. СОЮЗ...