ГАЛЬЦЕВ В.П.

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 (21/331 ГОСУДАРСТВЕ)НОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2891465/25 (22) 11.03,80 (46) 15.07.93. Бюл, М 26 (72) С.И.Аноприенко, B,Ï.Ãàëüöåâ и В.Н.Глущенко (56) Кремниевые планарные транзисторы / Под ред. Я.А.Фетодова, M. Сов.радио, 1975, с, 67-70, Мейер Д., Э...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования на полупроводниковой подложке маскирующего диэлектрического покрытия, вскрытия окон в нем, формирования базовой области с маскирующим диэлектрическим покрытием, вскрытия окон в последнем покрытием, вскрытия окон в последнем покрытии, формирования эмиттерной области с диэлектрическим пок...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛ ИСТИЧ ЕСKMX РЕСПУБЛИК (я)ю N 01 1 21/331 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ 0 jCA ГОСУДАРСТВ Е Н Н ОЕ ПАТЕ НТНО Е ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) К, А BTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3690020/25 (?2) 10 01 84 (46) 15. 07.93. Бюл. " 26 ..(72) В. П.Гальцев, В.Н.Глущенко и R„R.Êoòîâ (56) Патент США Г 4252582, кл. Н 01 21/203, опублик. 1982, Патент СНА " 3795553, кл. Н 01 ?...

  ПЛАНАРИАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, с выносными контактамир содержап1ая высокоомную подложку коллектор первого типа проводимости, расположенные в ней базовую и эмиттерные области соответственно второго и первого типов проводимости, пассивирующее диэлектрическое покрытие , включающее заряд, знак которого противоположен знаку заряда основных носителей в коллекторе, диэлектрическое п...