КОЗЕЕВ ЕВГЕНИЙ ВИКТОРОВИЧ
Изобретатель КОЗЕЕВ ЕВГЕНИЙ ВИКТОРОВИЧ является автором следующих патентов:
![Тензофотопреобразователь Тензофотопреобразователь](https://img.patentdb.ru/i/200x200/dc0838b36005095d8441c9a74a20db40.jpg)
Тензофотопреобразователь
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИ ИЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик < >847085 (б1) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 010678 (21) 2622705/18-10 (51)М. Кл. с присоединением заявки ¹â€” G 01 L 1/24 Государственный комитет СССР но дедам изобретений и открытий (23) Приоритет(5З) УДК 531. 781 (088.8) Опубликовано 150781. Бюллетень Ио 26 Дата...
847085![Способ изготовления тензопреобразователя давления Способ изготовления тензопреобразователя давления](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6aca374f6e7351d36cdf96a58a9578ce.jpg)
Способ изготовления тензопреобразователя давления
Изобретение относится к измерительной технике и позволяет упростить технологию изготовления.В полупроводниковой пластине, ориентированной в плоскости lOOl , определяют базовое кристаллографическое направление 110 , После нанесения на пластину металлического и фоторезнстивного слоев поворачивают продольную ось тензопреобразователя в любую сторону на угол 22,5 от базового направлен...
1290110![Тензопреобразователь давления с раздельными цепями питания и измерения Тензопреобразователь давления с раздельными цепями питания и измерения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/3f4f84484e6470072623572315e43e84.jpg)
Тензопреобразователь давления с раздельными цепями питания и измерения
Изобретение относится к полупроводниковой тензометрии. Цель изобретения увеличение выходного сигнала при одновременном расширении частотного диапазона измерения давления. Для этого устр-во содержит располона монокрнсталлической мембране пластину 1 с равномерно располо- KBjiHbiMH выемками 2, разделяющими пластину 1 на ряд отдельных участков 3, которые выбираются в пределах от 10 д...
1408262![Способ определения реакции зимующих растений на действие оттепелей Способ определения реакции зимующих растений на действие оттепелей](https://img.patentdb.ru/i/200x200/c67c685e7f67052b5a3ad03f08e3b998.jpg)
Способ определения реакции зимующих растений на действие оттепелей
Изобретение относится к области селекции растений и может быть использовано для выявления различий между формообразцями по реакции на действие оттепелей при создании зимостойких сортов. Цель - экономия и.сследуемого материала, снижение трудоемкости и повышение достоверности результатов определений. Способ включает заготовку образцов, закаливание, оттаивание образцов, моделировани...
1454310![Способ определения морозоустойчивости растений Способ определения морозоустойчивости растений](https://img.patentdb.ru/i/200x200/7926919e73901f070d206ad230d07cc8.jpg)
Способ определения морозоустойчивости растений
Изобретение относится к биологии и может быть использовано при выведении морозоустойчивых сортов. Цель - повышение точности разделения сортов по морозоустойчивости за счет корректирования температурных режимов закаливания. Для этого у эталонного образца растений перед закаливанием методом дифференциального термического анализа проводят запись термограмм, на которых по положению ма...
1471986![Способ изготовления полупроводникового тензопреобразователя с раздельными цепями питания и измерения Способ изготовления полупроводникового тензопреобразователя с раздельными цепями питания и измерения](https://img.patentdb.ru/i/200x200/16ce02564ff747054406ce20040b4418.jpg)
Способ изготовления полупроводникового тензопреобразователя с раздельными цепями питания и измерения
Изобретение относится к тензометрии и может быть использовано для измерения механических деформаций, давления и вибраций. Целью изобретения является улучшение рабочих характеристик тензопреобразователя за счет уменьшения начального выходного сигнала при отсутствии механической нагрузки. На диэлектрической подложке 1 с помощью фотолитографии формируют тензопреобразователь 2 из полу...
1493890![Способ определения тензоэлектрических характеристик структуры металл-полупроводник Способ определения тензоэлектрических характеристик структуры металл-полупроводник](https://img.patentdb.ru/i/200x200/2ed1af2945cf3dfe5751bca18f7fb70e.jpg)
Способ определения тензоэлектрических характеристик структуры металл-полупроводник
Изобретение может быть использовано при исследовании электрических характеристик структур металл-полупроводник и тензопреобразователей на их основе. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей способа за счет определения ряда дополнительных свойств полупроводникового материала, например фотоэлектрических свойств параметров глубоких примесных центров (ГПЦ). Для этого...
1506400