МАКОВИЙ А.Н.
Изобретатель МАКОВИЙ А.Н. является автором следующих патентов:
Инжекционная полупроводниковая структура
ИНЖЕКЦИОННАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА, содержащая высоколегированную подложку п-типа, эпиИзобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в логических и линейных интегральных схемах с инжекционным питанием. Известен ряд интегральных схем с инжекционным питанием, содержащих многоколлекторные транзисторы. Недостатком указанных структур...
847841