УС Н.А.

  ИНЖЕКЦИОННАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА, содержащая высоколегированную подложку п-типа, эпиИзобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано в логических и линейных интегральных схемах с инжекционным питанием. Известен ряд интегральных схем с инжекционным питанием, содержащих многоколлекторные транзисторы. Недостатком указанных структур...