Койнов Д.В.
Изобретатель Койнов Д.В. является автором следующих патентов:

Способ моделирования воздействия импульсного ионизирующего излучения на интегральные микросхемы на комплиментарных структурах "металл-окисел-полупроводник"
Использование: при испытаниях функционирующих интегральных микросхем на комплиментарных структурах металл - окисел - полупроводник (КМОП ИМС) на стойкость к сбою при воздействии импульсного ионизирующего излучения. Техническим результатом является повышение эффективности и снижение стоимости моделирования воздействия импульсного ионизирующего излучения. Моделирующее импульсное ионизирующе...
2174691