PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Койнов Д.В.

Изобретатель Койнов Д.В. является автором следующих патентов:

Способ моделирования воздействия импульсного ионизирующего излучения на интегральные микросхемы на комплиментарных структурах "металл-окисел-полупроводник"

Способ моделирования воздействия импульсного ионизирующего излучения на интегральные микросхемы на комплиментарных структурах "металл-окисел-полупроводник"

 Использование: при испытаниях функционирующих интегральных микросхем на комплиментарных структурах металл - окисел - полупроводник (КМОП ИМС) на стойкость к сбою при воздействии импульсного ионизирующего излучения. Техническим результатом является повышение эффективности и снижение стоимости моделирования воздействия импульсного ионизирующего излучения. Моделирующее импульсное ионизирующе...

2174691