КОЛЧАНОВА Н.М.

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОПЕРЕЧНОГО КОЭФФИЦЖНТА НЕРНСТА-ЭТТИНГСГАУЗЕНА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ путем создания градиента температуры , отличающийс я тем, что, с целью расширения температурного интервала измерения указанного параметра в область температур 4,2 - , выбирают материал с KoHueHTpaiyieft равновесных носителей тока, удовлетворяющей условию К П7/ 4 el ( IK ne Its охлажда...

  .. Фотоприемник, включающий p-i-n-структуру на основе GaAs, iобласть которой легирована примесью с энергией активации Е, сравнимой с шириной запрещенной зоны, а толва1на i-области не превышает обратную величину козффиодента поглощения света в примесной области, о т л и ч а .ю щ и и с я тем, что, с целью повышения чувствительности, в спектральном интервале 1-14 мкм при сохранении...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ ИОНИЗАЦИИ И ТИПА СИММЕТРИИ ГЛУБОКОГО ПРИМЕСНОГО ЦЕНТРА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ путем освещения его монохроматическим светом, о т л ичающийся тем, что с целью повышения точности определения параметров глубоких примесных центров в полупроводниках со структурой алмаза, измеряют спектральную зависимость фотопроводимости или коэффициента поглощения в инт...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанный на разогреве носителей тока светом при охлаждении образца, измерении термомагнитной ЭДС и определении поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена , отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа путем обеспечения определения энергии связи носителя заряда на мелком нейтральном центре, уста...