БУРЯК АЛЕКСАНДР АФАНАСЬЕВИЧ

  < >86И64 ОП ИСАНИЕ ИЗОЫ ЕтЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 05.06.79 (21) 2806853/27-11 с присоединением заявки— (23) П р и ор и тет— (43) Опубликовано 07.09.81. Бюллетень ¹ 33 (45) Дата опубликования описания 15,О9.81 (51) М К ч з В 63 В 9/О0 Государственный комитет ко делам изо...

  Изобретение относится к технике воздействия низкими температурами. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей элемента. Способ изготовления элемента для температурного воздействия состоит в заливке жидкости в емкость определенной формы и в последующем замораживании ее до получения твердого тела. При этом жидкость заливают в емкость конической формы, имеющую угол при...

  Изобретение относится к криогенной технике и может быть использовано для герметизации разъемных соединений, в частности для герметизации сверхпроводников. Изобретение позволяет повысить надежность герметизации в условиях циклического изменения температуры от 300 до 4 К за счет того, что в способе герметизации разъемных соединений криогенной техники, включающем нанесение на гермети...

  Изобретение относится к медицинской технике и может быть использовано в иглорефлексотерапии. Устройство для введения игл в точки акупунктуры содержит кондуктор 1 с каналом переменного сечения. Кондуктор выполнен из двух бранш, соединенных шарниром 4. Каждая бранша кондуктора намагничена и имеет наконечник 5, выполненный из биоинертной пластмассы, являющейся немагнитным материалом....

  Изобретение относится к транспортной технике, а именно к стендам, имитирующим работу магнитной подвески экипажа. Цель изобретения - повышение эффективности. Стенд содержит источник 1 переменного магнитного потока (барабан) и расположенный напротив него имитатор 2 путевой структуры, который выполнен в виде заполненной металлом 7 емкости, снабженной нагревателем 10 и теплообменником...

  Использование: в металлургии полупроводников . Сущность изобретения: кристаллы п и р-типа приводят в контакт, прикладывают внешнее напряжение, затем один из кристаллов приводят во вращение, которое осуществляют до тех пор, пока в зоне контакта не образуется жидкая прослойка . После остановки вращения кристаллы остывают, в результате чего происходит их сращивание, после чего зону...