ЛОБЫЗОВ СТАНИСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ
Изобретатель ЛОБЫЗОВ СТАНИСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ является автором следующих патентов:
![Устройство для передачи изделий с одного конвейера на другой Устройство для передачи изделий с одного конвейера на другой](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4947f3155de165841a1761463395ec72.jpg)
Устройство для передачи изделий с одного конвейера на другой
О П И С А Н И E (ii)86I230 ИЗОБРЕТЕНИЯ боюэ бойотских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.07.79 (21) 2803261/27-11 (51) М.К . В 65G 47/52 с присоединением заявки № Госудабствеиный комитет СССР (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.09.81. Бюллетень № 33 (53) УДК 621.867 (088.8) (45) Дата опубликования описани...
861230![Фильтр Фильтр](https://img.patentdb.ru/i/200x200/4034f93e20ce3e8ae39264a84171cdc3.jpg)
Фильтр
Использование: к области микрофильтрации газообразных и других сред в процессах микроэлектроники и других областях. Сущность изобретения: выполнение вкладыша с кольцевой проточкой обеспечивает возможность растекания газа по поверхности вставки , а выполнение вставки кольцевой и газопроницаемой позволяет производить равномерную подачу газа на фильтрующие элементы, независимо от об...
1755894![Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d7d3083c15fd1092fbc9e7d64251684f.jpg)
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого установлен подложкодержатель (ПД). ПД выполнен в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами вдиске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. На стороне сателлитов, обращенной к диску, выполнены также газотранспортные канавки. Их форма и угловое расположение аналогич...
1768675![Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d0f3eb969f391f5992f68027529cf9d8.jpg)
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого размещен подложкодержатель, выполненный в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами в диске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. В устройстве имеются средства ввода и выводи газа. В диске соосно сателлитам выполнены кальцевые проточки, соединенные с началом га...
1784668![Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов](https://img.patentdb.ru/i/200x200/6c946972dd532baa2fca3f0a20470fcb.jpg)
Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов
Использование: в электронной промышленности при производстве микросхем. Устройство содержит вертикальный реактор. В нем установлен полый подложкодержатель, внутри которого размещены подложки . Под подложкодержателем установлена перфорированная перегородка. В нижней части реактора по его оси размещены коаксиальные трубки для ввода парогазовой смеси (ПГС). По центру перфорированной...
1813819