ЛОБЫЗОВ СТАНИСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ
Изобретатель ЛОБЫЗОВ СТАНИСЛАВ ВЛАДИМИРОВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для передачи изделий с одного конвейера на другой
О П И С А Н И E (ii)86I230 ИЗОБРЕТЕНИЯ боюэ бойотских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.07.79 (21) 2803261/27-11 (51) М.К . В 65G 47/52 с присоединением заявки № Госудабствеиный комитет СССР (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.09.81. Бюллетень № 33 (53) УДК 621.867 (088.8) (45) Дата опубликования описани...
861230
Фильтр
Использование: к области микрофильтрации газообразных и других сред в процессах микроэлектроники и других областях. Сущность изобретения: выполнение вкладыша с кольцевой проточкой обеспечивает возможность растекания газа по поверхности вставки , а выполнение вставки кольцевой и газопроницаемой позволяет производить равномерную подачу газа на фильтрующие элементы, независимо от об...
1755894
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого установлен подложкодержатель (ПД). ПД выполнен в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами вдиске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. На стороне сателлитов, обращенной к диску, выполнены также газотранспортные канавки. Их форма и угловое расположение аналогич...
1768675
Устройство для эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов
Сущность изобретения: устройство содержит реактор, внутри которого размещен подложкодержатель, выполненный в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты. Под сателлитами в диске и основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки. В устройстве имеются средства ввода и выводи газа. В диске соосно сателлитам выполнены кальцевые проточки, соединенные с началом га...
1784668
Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых материалов
Использование: в электронной промышленности при производстве микросхем. Устройство содержит вертикальный реактор. В нем установлен полый подложкодержатель, внутри которого размещены подложки . Под подложкодержателем установлена перфорированная перегородка. В нижней части реактора по его оси размещены коаксиальные трубки для ввода парогазовой смеси (ПГС). По центру перфорированной...
1813819