Бакланов С.Б.

 Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано для коммутации электролюминесцентных излучателей, возбуждаемых знакопеременным напряжением. Коммутирующее устройство содержит в каждой из м ячеек полупроводниковый (ПЭ)1 с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС), конденсатор 2, дополнительный ПЭ 3 с ОДС и диод 4, общую шину 5, фазные шины 6, 7, 8, с каждой из...

 Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Интегральный транзистор с защитой от перенапряжений содержит коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости, эмиттерную область первого типа проводимости, полевой транзистор. Сток полевого транзистора соединен с базовой областью, а исток...