БАННАЯ В.Ф.
Изобретатель БАННАЯ В.Ф. является автором следующих патентов:
![Способ определения концентрации глубоких примесей в полупроводниках Способ определения концентрации глубоких примесей в полупроводниках](https://img.patentdb.ru/i/200x200/d35632a593c73af4cce336366fcd7361.jpg)
Способ определения концентрации глубоких примесей в полупроводниках
..SU„„867239, А СОЮЗ СОВЕТСКИХ С ОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН 5„Н 01 L ы/66 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2930806/18-25 " (22) 23.05. 80 (46) 07.07 83, Бюл. 0 25 (72) В. Ф. Банная, Л. Й. Веселова и Е.М. Гершензон (71) Московский ордена Ленина и ордена Трудового Красного Знамени государственный...
867239