Рязанцев И.А.

 Изобретение относится к термометрии и позволяет повысить надежность контроля в условиях затрудненного доступа к объекту. Предложено в качестве термоиндикатора использовать аморфный кремний, обладающий св-вом "запоминания" макс. т-ры, которой подвергался объект в период его эксплуатации. В разупорядоченной структуре аморфного кремния имеется значительная концентрация точечных дефектов, уме...

 Изобретение относится к термометрии и может быть использовано для измерения максимальных температур в атомных реакторах, космических и авиационных моторах. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых температур. Термоиндикатор содержит подложку 1 из кварца, пленку 2 из аморфного кремния, защитную пленку 3. Пленка 2 аморфного кремния содержит инертный газ в количестве 3 - 5 ат.% 3 и...

  Испоьзование: в технологии изготовления фотоприборов. Сущность изобретения: способ заключается в обработке поверхности образца из CdxHg1-xTe p-типа в плазме высокочастотного разряда ускоренными ионами с энергией 1 - 10 эВ и плотностью тока 4-8 мкА/см2. Затем проводят послойное травление образца, чередуя его с контролем свободных носителей на поверхности. Травление проводят до слоя с конц...

 Использование: производство полупроводниковых фотоприемных модулей, матриц. Сущность изобретения: приемник ИК-излучения на диапазон длин волн 1,5-6 мкм имеет слой монокристаллического высокоомного кремния, на котором выполнены в виде меза-структуры слой фотопоглощения с концентрацией легирующей примеси (7-9)1017cм-3 и контактный слой толщиной 100-500 с концентрацией легирующей примеси (5...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к производству фотоприемных модулей, и может быть использовано в приборах ночного видения, тепловизорах, газоанализаторах. Техническим результатом изобретения является достижение межэлементной развязки с коэффициентом развязки более 95%. Сущность: устройство содержит подложку из высокоомного кремния р-типа проводимости, со сто...