Пархоменко Ю.Н.

 Изобретение относится к технологии лазерной обработки. Целью изобретения является повышение производительности, точности и снижение энергозатрат. В зону обработки направляют лазерное излучение с изменяющейся длиной волны. Излучение фокусируют оптической системой с положительной хроматической аберрацией положения фокуса. При обработке уменьшают длины волны со скоростью, соответствующей ско...

 Изобретение относится к кватновой электронике. Цель изобретения осуществление независимой перестройки N спектральных компонент при отсутствии N (N 1) / 2 неуправляемых независимо компонент и сохранении узкой линии генерации лазера достигается тем, что в многочастотном лазере, содержащем активный элемент 4, резонатор с дифракционной решеткой 6 и акустооптический дефлектор 2, в последнем во...

 Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к лазерам с перестраиваемой длиной волны излучения, лазерным спектрометрам и измерительным лазерным комплексам. Целью изобретения является увеличение точности установки и скорости перестройки длины волны генерации, а также осуществление многочастотной генерации. С блока 10 программной перестойки через блоки 6 и 9 на дефлекторы 5 и...

 Изобретение относится к перестраиваемым по длине волны лазерам, лазерным спектрометрам и измерительным лазерным комплексам. Целью является увеличение КПД лазера и устранение паразитных оптических компонент. В лазер, содержащий активную среду 3 и резонатор, включающий в себя автоколлимационную дифракционную решетку 7 и акустооптический дефлектор 1, работающий в режиме анизотропной дифракци...

 Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых светоизлучающих диодов - светодиодов, и может быть использовано в электронной и оптоэлектронной промышленности. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются повышение излучаемой мощности и снижение у...

 Изобретение относится к области электронной техники. Предложен полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя. Согласно первому варианту...