ШИШКОВ ГЕННАДИЙ МИХАЙЛОВИЧ
Изобретатель ШИШКОВ ГЕННАДИЙ МИХАЙЛОВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для измерения индукции переменного магнитного поля
ОП.ИСАКИЙ ИЗОБРЕТЕН ИЯ н мтоФском свидетельству
875319
Устройство для измерения амплитуды импульсного магнитного поля и способ,его реализующий
Союз Советскин Социалистичесиин Республик О П И С А H И Е ()918907 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (6 I ) Допол н и тел ьное к а вт. с вид- ву (22) Заявлено 230580 (2I ) 2927821/18-21 (51) Я. Кд. G 01 R 33/06 с присоелинениеи заявки № Гасударственный комитет (23) Приоритет по делам нэабретений и открытий Опубликовано 070482 Бюллетень № 13 Дата опубликования описа...
918907
Полупроводниковый датчик холла
ЬП ИСАНИ Е ИЗЬВРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сотоз Советеиик Сецнапистичяеинк Рас убпии (iii 960678 (81) Дополнительное к авт. санд-ву (22)Заивлено 26,12.80 (21) 3223538/18 21 . с присоединением заявки М (23) Приоритет Опубликовано 23.09.82. Бюллетень М 35 Дата опубликования описания 25 09 82. (51) M. Кл. G0L R 33/06 9ееударстеении3 квинтет ь.ь Вр ае амеи язобрете...
960678
Магнитодиод
МАГНИТОДИОД, содержащий пластину из полупроводникового материала с S-образной вольт терной. характеристикой и примыкающие к ней инжектирующий и омический линейные контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности к магнитному полю, один из контактов выполнен в виде равнрбедренного треугольника с вершиной, направленной вглубь базы магнитодиода. 35 X и СОЮЗ CO...
1161831