УРИЦКИЙ В.Я.
Изобретатель УРИЦКИЙ В.Я. является автором следующих патентов:
Тестовая мдп структура
ТЕСТОВАЯ ОДП-СТРУКТУРА, включающая, высокопроводящий управляfl ющий электрод, слой диэлектрика и полупроводниковый кристалл, отличающаяся тем, что, с целью определения полного заряда в слое диэлектрика, мазкду слоем диэлектрика и управляющим электродом структура содержит слаболегированный слой полупроводника с концентрацией примеси 5- 10 и толщиной d, удовлетворяющей соотношению:...
884508