Колкер Б.И.

 (19)SU(11)888731(13)A1(51)  МПК 5    G11C11/40, G11C17/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к устройствам вычислительной техники. Оно может быть использовано в постоянных электрически программиру...

 (19)SU(11)1025259(13)A1(51)  МПК 5    G11C17/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоми- нающим устройствам (Э...

 (19)SU(11)1105055(13)A1(51)  МПК 6    G11C11/40(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к устройствам вычислительной техники. Оно может быть использовано в электрически перепрограммируемых постоянных з...

 (19)SU(11)1344119(13)A3(51)  МПК 5    G11C11/40(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк патентуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 3 год с 02.07.1993 по 01.07.1994(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЧНОГО НАКОПИТЕЛЯ ДЛЯ ПОСТОЯННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано при...

 Изобретение относится к постоянным запоминающим устройствам, в частности к накопителям на основе МДП-структур. Целью изобретения является повышение надежности накопителя за счет снижения вероятности единичных отказов при перепрограммировании. В приповерхностный слой полупроводниковой подложки введена четвертая диффузионная область первого типа проводимости с концентрацией примеси 1014-510...

 Изобретение относится к устройствам вычислительной техники и может быть использовано в электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройствах, сохраняющих информацию при отключенных источниках питания. Цель изобретения - увеличение количества циклов перепрограммирования элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что элемент памяти содержит второй слой 13 поликремния...