ТАКЕУТИ Даисуке (JP)

 Изобретение может быть использовано при изготовлении электронных устройств. Способ включает два этапа осуществления химического осаждения из газовой фазы с помощью плазмы при использовании смешанного газа, состоящего из источника углерода и водорода в качестве химически активного газа. На первом этапе используют смешанный газ с концентрацией источника углерода, установленной на первом низ...