Пимкина З.А.

 (19)SU(11)902603(13)A1(51)  МПК 6    G03C5/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИСПРАВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ФОТОШАБЛОНОВ Изобретение относится к способам исправления дефектов фотошаблонов и может быть использовано в производстве полупроводников при изготовлении эмульсионных фото...

 (19)SU(11)1080638(13)A1(51)  МПК 6    G03C1/72H01L21/312(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СОСТАВ ФОТОРЕЗИСТА Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для получения микросхем методом фотолитографии. Точность воспроизведения размеров элементов из...

 (19)SU(11)1083809(13)A1(51)  МПК 6    G03C5/00, G03F1/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ МЕТОДОМ ОБРАЩЕНИЯ И СОСТАВЫ ДЛЯ ПРОЯВЛЕНИЯ И ЧЕРНЕНИЯ Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении эмульсионных...

 (19)SU(11)1267945(13)A1(51)  МПК 6    G03C5/42(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СОСТАВ ДЛЯ ЧЕРНЕНИЯ ОТБЕЛЕННЫХ ФОТОГРАФИЧЕСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ Изобретение относится к составам, используемым в химико-фотографической обработке кинофотоматериала для изготовления эмульсионных фотошабло...

 Изобретение касается фоторезисторов и может быть использовано в микроэлектронике для получения микросхем фотолитографическим методом. Цель изобретения - сокращение времени проявления и расширение полезного интервала экспонирования. Композиция фоторезиста содержит (мас.%) светочувствительную компоненту на основе нафтохинондиазида 7 - 8; фенолформальдегидную смолу 12 - 13; 50%-ный водный ра...

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок. Цель изобретения - повышение эффективности процесса за счет повышения качества и скорости удаления фоторезиста, задубленного при температуре в...

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано на завершающей стадии фотолитографии при удалении задубленного слоя фоторезиста с поверхности полупроводниковых пластин и фотошаблонных заготовок. Новый состав содержит метилпирролидон, воду, глицерин и алифатический амин при следующем соотношении компонентов (об.%): метилпирролидон 17 -...