Габриелян В.Т.
Изобретатель Габриелян В.Т. является автором следующих патентов:
Способ выращивания монокристаллов ниобата лития
Способ выращивания монокристаллов ниобата лития из расплава шихты, содержащей кислородные соединения ниобия и лития, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности кристаллов при увеличении скорости выращивания, в шихту дополнительно вводят калий и компоненты берут в количестве, определяемом из соотношения окислов пятиокиси ниобия и окиси лития, мол.%, равном (51,0 - 51,...
845506Измеритель мощности оптического импульсного излучения
Изобретение относится к области оптического приборостроения. Цель изобретения - повышение чувствительности в широком спектральном интервале - достигается путем использования в чувствительном элементе в виде параллелепипеда из монокристалла ниобита лития в качестве легирующего металла меди или никеля в пределах 1 - 3 мас.% в расплаве. Коэффициент преобразования достигается 90 и 106 В/МВт н...
1702754Устройство для выращивания кристаллов
Изобретение относится к области выращивания оптических монокристаллов методом Чохральского. Сущность изобретения: устройство содержит тигель с нагревателем, затравкодержатель, охватывающие тигель с нагревателем, два керамических экрана, разделенных прозрачной термостойкой вставкой, размещенной в зазоре между нижней частью верхнего экрана и верхней частью нижнего экрана. Размеры зазора выб...
2177514Устройство для выращивания кристаллов
Изобретение относится к области выращивания оптических монокристаллов методом Чохральского. Сущность изобретения: устройство, содержащее тигель, затравкодержатель, верхний и нижний керамические экраны, включает диафрагму, расположенную над расплавом, между керамическими экранами установлена цилиндрическая вставка из прозрачного для теплового излучения материала (например, плавленого кварц...
2202009