КОЛЕСНИКОВ НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ

  Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 23.06.80 (21) 2946234/22-03 с присоединением заявки Уев (23) Приоритет— (51) М.К . Е 21 С 41/06 Гасударственный кемлтет Опубликовано 23.02.82. Бюллетень М. 7 Дата опубликования описания 28.02.82 (53) УДК 622.274 (088.8) Ао делам изобретений и открытий...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЦИНКА, включающий прокаливание образца и последующее взвешивание образовавшегося оксида цинка, отличаю щ и и с я тем, что, с целью обеспечения возможности а нализа селенида цинка, прокаливание проводят в течение 30-40 мин при 650-700 С в открытом тигле и скорости потока воздуха 0,4-0,5 л/мин. (Л с СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51) 4 ОПИСАНИЕ...

  Изобретение относится к измерительной технике, предназначено для исследования поверхностных свойств жидкостей и может быть использовано для определения поверхностного натяжения расплавов тугоплавких веществ с высокими давлениями собственных паров над расплавами. Целью изобретения является расширение области применения устройства за счет обеспечения возможности изучения расплавов...

  Использование: изготовление элементов . ИК-оптики, элементов лазеров. Сущность изобретения: пластины выращивают зонной плавкой со скоростью 7-20 мм/ч с плоским фронтом кристаллизации, находящимся под углом у к направлению движения зоны. Угол равен 50 v+b, где уугол в град, v - скорость движения зоны в мм/ч, (-1,3) а(-1,5);50 . Получают кристаллы с содержанием газовых включений 0,...

  Сущность изобретения: кристаллы селенида цинка выращивают из расплава с последующим отжигом кристалла в градиенте температуры непосредственно в устройстве для выращивания. Непосредственно по окончании вытягивания кристалла устанавливают температуру верха кристалла 1240-1280°С, градиент температуры в направлении к низу кристалла 2-4 град/см и отжиг ведут путем охлаждения н...

  Использование: получение кристаллов для инфракрасной оптики. Сущность изобретения: кристаллы выращивают из расплава и отжимают при 930-950°С в течение 60-70 ч. Получают кристаллы со светопропусканием на длине волны 10,6 мкм не менее 65%. 1 табл. союз советских СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 33/02, 29/48 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ С...