МАХОВ ВЛАДИМИР ИЛЬИЧ

  ОПИСАНйЕ ИЗЬБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Сов етскик Соцнаиистическил Респубики 1936439 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22)Заявлено 28,08.80(2I) 2975424/18-09 с присоединением заявки,% (23) Приоритет Опубликовано 15.06.82. Бюллетень РЙ 22 Дата опубликования описания 18.06.82 (51)M. Кл. H 04 В 1/10 9кударственыб кемитет ССС.Р ае делан иаебретеник и вткрыт...

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ < f 3 „ и током управ. ления Э и может достйгать 5 при Эс f Эс . =5. Выбор критических токов контактов и тока управления определяется сле- 5 дующим образом. Необходимо, чтобы при подаче тока управления кривые 2 и 3 были максимально адвинуты .относительно кривой 1. Это достигается при условии, ес- 10 ли ток управления близо...

  1. СТРОБИРУЕМЫЙ ТОКОВЫЙ ДИСКРИМИНАТОР , содержащий последовательно .соединенные источник питания, ограничительный резистор и первый джозефсоновский прибор, обладающий гистерезисом , а также разделительный элемент и три шины управления, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности и устойчивости к наводкамJв него введен второй джозефсоновский прибор, обладаю...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН (19) О1) И5)) 1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, ....—, -: / . Н ABT0PCH0MV СВИДЕТЕЛЬСТВЪ 18 (21 ) 3360491/18-24 (22) 05.12.81 (46) 23.11.83. Бюл. )) 43 (72) В.A. Бахтин, В.И. Махов и В.Н. Пархоменко (53) 681.327.6(088.8) (56) 1. Fu1ton Т.А., Dunkleberger Ь.N. Арр1. Phys, Lett....

  Изобретение относится к области электроники , в частности к области криоэлектроники, и может быть использовано для ввода информации в крио-ЭВМ. Целью изобретения является упрощение конструкции приемника электромагнитного излучения, повышение помехоустойчивости при использовании его в криоЭВМ за счет получеИзобретение относится к электротехнике , а более конкретно к области криоэл...

  Изобретение относится к сверхпроводящей микроэлектронике. Сущность изобретения: на пластину наносят буферный и сверхпроводящий слой. Для модификации буферного слоя используют высокоэнтальпийную, низкотемпературную плазму, длительность разового воздействия плазмы 0,01-0,1 с плотностью теплового потока на границе плазма - поверхность 106-107 Вт/м2. При использовании в качестве буфе...