БАСОВ Н.Г.

  О П И С А Н И Е (п)9213О4 ИЗОБРЕТЕМ ИЯ ьоИЗ COBGTCKNX Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 08.08.80 (21) 2977856/18-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл. G 01В 9/02 (43) Опубликовано 15.10.82. Бюллетень № 38 (53) УДК 535.411 (088.8) ло делам изобретений и открытий (45) Дата опубликования описания 15.10.82 (...

  1. НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, содержавщй ячейки памяти, выполненные на подложке в виде МНОП-структур и изолированные друг от друга диэлектрическим слоем, размещенным на подложке, проводящий слой, входной и выходной контакты, отличающийся тем, что с целью увеличения информационной емкости накопителя, проводящий слой выполнен в виде входящих один в др...

  Изобретение отйосится к области квантовой электроники, а именно к газовым лазерам. Целью изобретения является увеличение длительности генерации вплоть до непрерывного режима, повьппение КПД и уменьшение расходимости излучения. Накачку рабочей смеси , состоящей из гелия, неона и туг шащего инертного газа, осуществляют ионизирующим излучением с удельной мощностью накачки не более 1...