КОЛЬДЯЕВ В.И.
Изобретатель КОЛЬДЯЕВ В.И. является автором следующих патентов:
Полупроводниковое устройство
ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО , содержащее по крайней мере два полевых транзистора с управляюпщми р-п-переходами, каждый из которых включает области стока, истока, канала , верхнего и нижнего затворов, отличающееся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости проходных вольт-амперных характеристик транзисторов, область канала каждого транзистора неравномерно легирована с градиент...
921387Способ записи информации в запоминающий элемент на мдп- структурах
СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ В ЗАПОМИИА1а и1Й ЭЛЕМЕНТ НА МДП-СТРУКЛШЩ . БИ6ЛИОТЕКД ТУРАХ, основанный на инжекции основного йаряда путем подачи напряжения на диэлектрик МДП-транзистора, о тл ич а ю щи йс я тем, что, с целью повышения надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной информации, осу1чествляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэл...
1012701